关于离子镀技术的分类

等离子喷涂是一种将溅射靶材原材料堆积在板材上的镀膜方式，该类镀膜加工工艺基本原理是溅射靶材依靠电孤被离子化和气化，随后髙速堆积到板材以上。等离子喷涂一般在真空室或稀有气体设备中开展，正离子镀膜技术性也称之为物理学液相堆积技术性（PVD）。

伴随着科技进步的很快发展趋势，正离子镀膜技术性衍化出许多不一样的种类，他们在挥发源、充入汽体、真空自然环境、离化及正离子加速方法等层面均各有不同，其特性及运用也是有相对的区别：

1、电磁感应加热正离子镀膜，选用高频率电磁感应加热，充入稀有气体或反映汽体，在10⁻¹~10⁻⁴Pa的真空工作压力自然环境下，产生磁感应漏磁，正离子加速方法为DC1kV~8kV的加速工作电压。特性是能得到 化学物质涂层，常见于装饰物、机械设备产品、电子元器件的镀膜中。

2、电孤充放电型高真空正离子镀膜，选用电子束加温，真空或充入反映汽体，根据运用挥发源热电子或热钨丝发送电子器件推动离化（0-700V的加速工作电压）。特性是离化率高、膜层品质优质，常见于机械设备产品、数控刀片、装饰设计等镀膜。

3、多弧正离子镀膜，选用负极强辉煌点为挥发源，真空或充入反映汽体，在10⁻¹~10Pa的真空工作压力自然环境下，运用挥发原子束的定向运动产生热弱电解质、 场正离子发送， 电光充放电造成的正离子。特性是离化率高、 堆积速度大，常见于数控刀片、机械设备产品、磨具等镀膜。

4、簇团电子束镀膜，选用电阻丝加热， 从钳锅中喷出来的是簇团状的挥发颗粒物，充入真空或反映汽体，在10⁻²~10⁻⁴Pa的真空工作压力自然环境下，产生电子器件发送， 从钨丝传出的电子器件的撞击功效，0~数千伏的加速工作电压， 离化和加速单独实际操作。特性是既能立即镀化学物质膜又能镀纯陶瓷膜，如ZnO，常见于音箱元器件、电子元器件等。

5、静电场挥发，选用电子束加温，在10⁻²~10⁻⁴Pa的真空工作压力自然环境下，运用电子束产生的金属材料等离子技术，以百余伏至数千伏的加速工作电压，离化和加速联动实际操作。特性是真空蒸镀带静电场，其膜层性价比高，常见于电子元器件、音箱元器件等。

6、底压等离子技术正离子镀膜(LPPD)，选用电子束加温，充入稀有气体、反映汽体，在10⁻¹~10⁻²Pa的真空工作压力自然环境下，产生等离子技术离化，正离子加速方法为DC或AC，50V的加速工作电压。特性是构造简易，能得到 TiC、TiN、Al₂O₃等化学物质膜层，常见于机械设备产品、电子元器件、装饰物之中。

7、多负极型，选用电阻丝加热或电子束加温，真空或充入稀有气体、反映汽体，在10⁻¹~10⁻⁴Pa的真空工作压力自然环境下，借助热电子、 负极释放的电子器件及其电弧放电，零至数千伏的加速工作电压离化和正离子加速可单独实际操作。特性是选用低要电子器件，使其离化高效率、膜层品质可操纵等，常见于精密的机器设备产品、电子元器件、装饰物之中。

8、直流电充放电二极型(DCIP)，选用电阻丝加热或电子束加温，充入氩气及也可充入小量反映汽体，在5* 10⁻¹~10⁰的真空工作压力自然环境下产生等离子喷涂，被镀基材为负极，运用高电压宜流电弧放电，在百余伏至数千伏的工作电压下加速，离化和正离子加速一起开展。具有绕射性好、粘合力强、板材的溫度易升高、膜结构工程及外貌差、若用电子束加温则务必采用差销钉，常见于抗腐蚀、润化、机械设备产品中。

9、频射充放电等离子喷涂(RFIP)，选用电阻丝加热或电子束加温，真空或充入氩气以及它稀有气体、反映汽体如O₂、 N₂、CH₄、C₂H₂等，可在10⁻¹~10⁻³Pa的真空工作压力自然环境下，产生频射等离子技术充放电(13.56MHz)，以零至数千伏的加速工作电压，离化和正离子加速单独实际操作。特性是残渣汽体少、破乳性价比高、化学物质破乳更强，可是配对较艰难，常见于电子光学，半导体元器件、装饰物、汽车零件等。

10、中空负极充放电正离子镀膜(HCD)，选用低温等离子电子束加温，充入氩气以及它稀有气体、反映汽体，可在10⁻²~10⁰Pa的真空工作压力自然环境下，运用底压大电流量的电子束撞击，以零至百余伏的加速工作电压离化和正离子加速器和正离子加速单独实际操作。特性是离化高效率、电子束斑很大，可镀陶瓷膜、物质膜化学物质膜等，常见于耐磨损涂层、装饰设计涂层、机械设备产品之中。

11、特异性反映蒸镀(ARE)，选用电子束加温，充入反映汽体O₂、N₂、CH₄、C₂H₂等，可在10⁻¹~10⁻²Pa的真空工作压力自然环境下，借助电子束和正参考点探极中间的底压等离子技术电弧放电。是一种二次电子，无加速工作电压，也是有在衬底上加上零至数千伏加速工作电压的ARE。特性是蒸镀高效率，能得到 TiC、TiN、Al₂O₃等结合膜，常见于电子元器件、机械设备产品、装饰物之中。

12、提高的ARE型，选用电子束加温，充入氩气以及它稀有气体，反映汽体如O₂、N₂、CH₄、C₂H₂等，可在10⁻¹~